řada: HEXFET MOSFET IRF7854TRPBF Typ N-kanálový 10 A 80 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-9322
- Výrobní číslo:
- IRF7854TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
67,58 Kč
(bez DPH)
81,77 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 260 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 13,516 Kč | 67,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9322
- Výrobní číslo:
- IRF7854TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.4mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.4mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je výkonný 80V n-kanálový IRFET mosfet v pouzdru SO 8. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7205TRPBF Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7328TRPBF Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -7.4 A -12 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -9.2 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový