řada: HEXFET MOSFET IRF7854TRPBF N-kanálový 10 A 80 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-9322
- Výrobní číslo:
- IRF7854TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
87,69 Kč
(bez DPH)
106,11 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 695 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,538 Kč | 87,69 Kč |
| 50 - 120 | 14,524 Kč | 72,62 Kč |
| 125 - 245 | 13,684 Kč | 68,42 Kč |
| 250 - 495 | 12,646 Kč | 63,23 Kč |
| 500 + | 12,252 Kč | 61,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9322
- Výrobní číslo:
- IRF7854TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, napětí 80 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 10 A – IRF7854TRPBF
Tento MOSFET je vylepšovací zařízení N-kanálu dodávané v pouzdru SO‐8 pro povrchovou montáž pro kompaktní spínání napájení. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je navržen pro aplikace vyžadující mírný rozptyl výkonu a nízké ztráty při vodivosti. Zařízení splňuje požadavky RoHS a je určeno pro použití tam, kde je vyžadováno efektivní spínání a tepelná odolnost.
Charakteristiky a výhody:
• RDS(on) 13.4 mΩ snižuje ztráty při vedení
• 80V VDS umožňuje spínání při vyšším napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 10 A podporuje trvalé zatížení
• Typický náboj hradla 27 nC zlepšuje ovládání spínání
• Rozptýlení výkonu 2.5 W zvládá tepelné namáhání
• 80V VDS umožňuje spínání při vyšším napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 10 A podporuje trvalé zatížení
• Typický náboj hradla 27 nC zlepšuje ovládání spínání
• Rozptýlení výkonu 2.5 W zvládá tepelné namáhání
Aplikace
• Vhodné pro stupně pohonu stejnosměrných motorů
• Ideální pro řízení napájení v průmyslových řídicích zařízeních
• Používá se se spínacími regulátory a měniči
• Lze použít pro spínání zátěže v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Ideální pro řízení napájení v průmyslových řídicích zařízeních
• Používá se se spínacími regulátory a měniči
• Lze použít pro spínání zátěže v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
Jaké limity napětí hradla platí během provozu?
Zařízení přijímá napětí mezi bránou a zdrojem až 20 V.
Jaký tepelný rozsah může tolerovat v náročných prostředích?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C.
Jak přímé napětí ovlivňuje vodivost v podmínkách tělesné diody?
Dopředná dioda vykazuje během vedení přibližně 1,3 V.
Kolik kolíků a jaký typ montáže se používá pro implementaci PCB?
Dodává se v 8kolíkovém pouzdru SO‐8 konfigurovaném pro povrchovou montáž.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 10 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 1.9 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 6.9 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 13 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 3.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení