AEC-Q101, řada: IPT MOSFET IPT054N15N5ATMA1 N-kanálový 143 A 150 V Infineon, HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 249-3354
- Výrobní číslo:
- IPT054N15N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 4%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
139,80 Kč
(bez DPH)
169,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 139,80 Kč | - |
| 10 - 24 | 133,13 Kč | 4% |
| 25 - 49 | 130,17 Kč | 6% |
| 50 - 99 | 122,02 Kč | 12% |
| 100 + | 113,13 Kč | 19% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 249-3354
- Výrobní číslo:
- IPT054N15N5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 143A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | HSOF-8 | |
| Řada | IPT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 143A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení HSOF-8 | ||
Řada IPT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový mosfet Infineon Optimos 5 je N-kanál mosfet nabízí velmi nízkou on-odpor a vynikající tepelnou odolnost. Toto zařízení neobsahuje olovo a halogeny. Dodává se v povrchové montáži, balení PG-HSOF-8.
VdS (od zdroje k napětí) je 150 V.
RDS (max. ZAP) je 5.4 miliohm a ID je 143 A
Hodnoty Qdss a QG jsou 155 nC a 55 nC
Související odkazy
- AEC-Q101 HSOF-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T065S7XTMA1 N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET N-kanálový 169 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T040S7XTMA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT60T022S7XTMA1 N-kanálový 23 A 600 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT012N06NATMA1 N-kanálový 313 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: IPT MOSFET IPT014N08NM5ATMA1 N-kanálový 331 A 80 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení