MOSFET Typ N-kanálový 20 V, U-DFN2030, počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 246-6788
- Výrobní číslo:
- DMN2014LHAB-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 246-6788
- Výrobní číslo:
- DMN2014LHAB-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | U-DFN2030 | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.75V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 0.8W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení U-DFN2030 | ||
Počet kolíků 6 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.75V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 0.8W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
DiodesZetex je nová generace dual N-channel režimu zesílení MOSFET, byl navržen tak, aby minimalizoval on-state odpor (RDS (ON)) a přesto udržet vynikající spínací výkon, což je ideální pro vysoce efektivní řízení spotřeby aplikací. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET se dodává v balení u-DFN2030-6. Nabízí rychlé přepínání a vysokou účinnost. Má pracovní teplotu v rozsahu -55°C až +150°C. Nabízí nízkou vstupní kapacitu a rychlou spínací rychlost.
Maximální výpusť do zdrojového napětí je 20 v a maximální napětí mezi hradlem a zdrojem je ±16 v nabízí nízký odpor a nízké prahové napětí hradla chráněné proti elektrostatickému výboji
Související odkazy
- MOSFET DMN2014LHAB-13 Typ N-kanálový 20 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN2014LHAB-7 Typ N-kanálový 9.3 A 20 V počet kolíků: 7 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 20 V počet kolíků: 7 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 40 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMT6011LPDW-13 Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMT47M2LDVQ-13 Typ N-kanálový 40 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
