AEC-Q101 Výkonový MOSFET DMN2014LHAB-7 N-kanálový 9.3 A 20 V, UDFN, počet kolíků: 7 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

474,25 Kč

(bez DPH)

573,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 2 850 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za balení*
50 +9,485 Kč474,25 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
827-0462
Výrobní číslo:
DMN2014LHAB-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

9.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Typ balení

UDFN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

28mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-12V, +12V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1.7W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

+150°C

Délka

3.05mm

Šířka

2.05mm

Normy/schválení

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Výška

0.6mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.