AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 9.3 A 20 V, UDFN, počet kolíků: 7 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

12 180,00 Kč

(bez DPH)

14 730,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 09. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +4,06 Kč12 180,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
165-8742
Výrobní číslo:
DMN2014LHAB-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ produktu

Výkonový MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

9.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Typ balení

UDFN

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

28mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

150°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.5nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.7W

Maximální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Délka

3.05mm

Normy/schválení

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Výška

0.6mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN

Dual N-Channel MOSFET, Diode Inc.


Tranzistory MOSFET, Diode Inc.


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.