MOSFET DMT6011LPDW-13 N-kanálový 40 A 60 V, PowerDI5060-8, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

428,67 Kč

(bez DPH)

518,70 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
25 - 2517,147 Kč428,68 Kč
50 - 7516,816 Kč420,40 Kč
100 - 22512,093 Kč302,33 Kč
250 +11,797 Kč294,93 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
246-7555
Výrobní číslo:
DMT6011LPDW-13
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

PowerDI5060-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.022Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

22.2nC

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

DiodesZetex vytváří MOSFET s režimem zesílení kanálu N, který je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, takže je ideální pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET je dodáván v provedení powerDI5060-8. Nabízí rychlé přepínání a vysokou účinnost. Jeho 100% upnuté indukční spínání zajišťuje spolehlivější a robustnější koncové použití. Má pracovní teplotu v rozsahu -55°C až +150°C.

Maximální výpusť do zdrojového napětí je 20 v a maximální napětí mezi hradlem a zdrojem je ±12 v nabízí nízký odpor, má nízké prahové napětí hradla, které nabízí ESD hradlo

Související odkazy