řada: NTT MOSFET N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-9188
- Výrobní číslo:
- NTTFS012N10MDTAG
- Výrobce:
- onsemi
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 244-9188
- Výrobní číslo:
- NTTFS012N10MDTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.2kV | |
| Typ balení | WDFN | |
| Řada | NTT | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.2kV | ||
Typ balení WDFN | ||
Řada NTT | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET ON Semiconductor používaný jako primární spínač v izolovaném převodníku DC–DC, synchronní usměrňování (SR) v DC–DC a AC–DC, adaptéry AC–DC (USB PD) SR, zátěžový spínač, přepínač hotswap a o-ring Switch, motor BLDC a solární měnič.
Technologie MOSFET se stíněným hradlem
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Nízká QRR, dioda tělesa pro měkké zotavení
Nízká QOSS pro zlepšení účinnosti lehkého zatížení
Tato zařízení jsou bez obsahu Pb, bez obsahu halogenů/bez BFR, bez obsahu berylia a jsou v souladu se směrnicí RoHS
Související odkazy
- řada: NTT MOSFET NTTFS012N10MDTAG N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 8 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET NTMFS6H824NT1G N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET NTMFS5C645NT1G N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET NTMFS3D2N10MDT1G N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTHL MOSFET NTHL045N065SC1 N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NTD MOSFET NTD5C632NLT4G N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NVH MOSFET NVH4L040N120SC1 N-kanálový 58 A 1.2 kV onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení