řada: NTHL MOSFET NTHL045N065SC1 N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 5 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 241-0744
- Výrobní číslo:
- NTHL045N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
322,09 Kč
(bez DPH)
389,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 305 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 322,09 Kč |
| 10 - 99 | 277,38 Kč |
| 100 + | 240,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 241-0744
- Výrobní číslo:
- NTHL045N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | NTHL | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada NTHL | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L
ON Semiconductor 650 v, 42 mΩ N-kanálový karbid křemíku MOSFET. MOSFET z karbidu křemíku (SIC) používá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání se Silicon. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla. Výhody systému proto zahrnují nejvyšší účinnost, rychlejší provozní frekvenci, zvýšenou hustotu výkonu, snížené EMI a sníženou velikost systému.
Vysoká teplota spoje
Vysokorychlostní spínání a nízká kapacita
Max. RDS (zapnuto) = 50 mΩ při VGS = 18 v, ID = 66 A.
Související odkazy
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NVH MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NVH MOSFET NVH4L040N120SC1 N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 70 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 36 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 20 A 650 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení