řada: NTHL MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 5 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 450 kusech)*

84 080,25 Kč

(bez DPH)

101 736,90 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 26. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
450 +186,845 Kč84 080,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
241-0743
Výrobní číslo:
NTHL045N065SC1
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

58A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

TO-247

Řada

NTHL

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

5

Maximální odpor zdroje Rds

22mΩ

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

105nC

Maximální ztrátový výkon Pd

117W

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Karbid křemíku (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mΩ, 650 V, M2, TO-247-3L


ON Semiconductor 650 v, 42 mΩ N-kanálový karbid křemíku MOSFET. MOSFET z karbidu křemíku (SIC) používá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání se Silicon. Kromě toho nízký ODPOR a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla. Výhody systému proto zahrnují nejvyšší účinnost, rychlejší provozní frekvenci, zvýšenou hustotu výkonu, snížené EMI a sníženou velikost systému.

Vysoká teplota spoje

Vysokorychlostní spínání a nízká kapacita

Max. RDS (zapnuto) = 50 mΩ při VGS = 18 v, ID = 66 A.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.