AEC-Q101, řada: NTH MOSFET Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 254-7669
- Výrobní číslo:
- NTH4L025N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 450 kusech)*
139 029,75 Kč
(bez DPH)
168 226,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | 308,955 Kč | 139 029,75 Kč |
| 900 - 900 | 302,776 Kč | 136 249,20 Kč |
| 1350 + | 296,722 Kč | 133 524,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 254-7669
- Výrobní číslo:
- NTH4L025N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | NTH | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 164nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 4.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada NTH | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 164nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 4.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Karbid křemíku (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
Řada karbidu křemíku MOSFET řady NTH společnosti ON Semiconductor využívá zcela novou technologii, která zajišťuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání s křemíkem. Kromě toho s nízkým odporem při zapnutí a kompaktní velikostí čipu. Zajišťuje nízkou kapacitu a náboj hradla. Výhody systému tedy zahrnují nejvyšší účinnost, rychlejší provozní frekvenci, zvýšenou hustotu výkonu, snížení EMI a sníženou velikost systému.
Používá se v telekomunikacích s mimořádně nízkým nábojem hradla, vysokorychlostním spínáním a nízkou kapacitou
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTH MOSFET NTH4L040N120SC1 Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení