Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	17.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds	1200V
	Typ balení	TO-247
	Řada	NTH
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	224mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	111W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	34nC
	Přímé napětí Vf	4V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	22.74mm
	Délka	18.62mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 17.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds 1200V
	Typ balení TO-247
	Řada NTH
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 224mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 111W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC
	Přímé napětí Vf 4V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 22.74mm
	Délka 18.62mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - NTH4L160N120SC1

Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

Výkonové tranzistory MOSFET ON SEMICONDUCTOR ze silikonového karbidu mají 17.3 a a 1200 V. Lze jej použít v nepřerušitelným zdroji napájení, převodníku DC/DC, posilovací měniči.

160mO odvodnění na zdroj při odporu

Velmi nízké nabití hradítka

100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti

Bez olova

Vyhovuje RoHS

řada: NTH MOSFET Typ N-kanálový 17.3 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

Související odkazy