řada: NTD MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 5 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 244-9179
- Výrobní číslo:
- NTD5C632NLT4G
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (2500 jednotky/-ek, v kotouči po 2500 ks)*
37 225,00 Kč
(bez DPH)
45 050,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 14,89 Kč | 37 225,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-9179
- Výrobní číslo:
- NTD5C632NLT4G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | NTD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 78nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada NTD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 78nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
ON Semiconductor N-kanál MOSFET má drain−na−zdrojové napětí je 60 v a hradlo−na−zdrojové napětí je 20 V.
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Tato zařízení jsou bez Pb, bez halogenů/bez BFR a jsou v souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: NTD MOSFET NTD5C632NLT4G N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NTD MOSFET + Dioda NTD280N60S5Z N-kanálový 13 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 58 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTHL MOSFET NTHL045N065SC1 N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: PowerTrench MOSFET FDD8880 N-kanálový 58 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení