řada: NTD MOSFET + Dioda NTD280N60S5Z N-kanálový 13 A 600 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-565
- Výrobní číslo:
- NTD280N60S5Z
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
383,59 Kč
(bez DPH)
464,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 475 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 76,718 Kč | 383,59 Kč |
| 50 - 95 | 72,866 Kč | 364,33 Kč |
| 100 - 495 | 67,58 Kč | 337,90 Kč |
| 500 - 995 | 62,244 Kč | 311,22 Kč |
| 1000 + | 59,872 Kč | 299,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-565
- Výrobní číslo:
- NTD280N60S5Z
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | NTD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 224mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.9nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada NTD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 224mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.9nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS, Pb-Free, 100% Avalanche Tested | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada MOSFET Easy Drive společnosti ON Semiconductor kombinuje vynikající spínací výkon bez obětování snadného použití a problémů s EMI pro topologie tvrdého i měkkého spínání.
Bez halogenů
V souladu s RoHS
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: NTD MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: NTD MOSFET NTD5C632NLT4G N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: SUPERFET III MOSFET + Dioda N-kanálový 13 A 800 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUPERFET III MOSFET + Dioda NTD360N80S3Z N-kanálový 13 A 800 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SuperFET MOSFET N-kanálový 7 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET N-kanálový 2.8 A 600 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení