řada: NTM MOSFET NTMFS6H824NT1G Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, DFN, počet kolíků: 5 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 244-9187
- Výrobní číslo:
- NTMFS6H824NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
92,38 Kč
(bez DPH)
111,78 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 46,19 Kč | 92,38 Kč |
| 20 - 198 | 39,765 Kč | 79,53 Kč |
| 200 - 998 | 34,58 Kč | 69,16 Kč |
| 1000 + | 30,38 Kč | 60,76 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 244-9187
- Výrobní číslo:
- NTMFS6H824NT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | DFN | |
| Řada | NTM | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení DFN | ||
Řada NTM | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
ON Semiconductor MOSFET Drain−to−Source Voltage je 60 v a Gate−to−Source Voltage je ±20 V.
Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Tato zařízení jsou bez Pb a jsou v souladu se směrnicí RoHS
Související odkazy
- řada: NTM MOSFET Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET NTMFS5C645NT1G Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- řada: NTM MOSFET NTMFS3D2N10MDT1G Typ N-kanálový 58 A 1200 V onsemi počet kolíků: 5 kolíkový N
- AEC-Q101 DFN-5, počet kolíků: 5 kolíkový
- AEC-Q101 DFN-5, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: NTM MOSFET NTMFSC0D8N04XMTWG Typ N-kanálový 310 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTM Jednoduché tranzistory MOSFET NTMFS4D7N04XMT1G Typ N-kanálový 66 A 40 V onsemi počet kolíků: 5