AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SiHA17N80AEF-GE3 N-kanálový 6.5 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-8622
- Výrobní číslo:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
177,84 Kč
(bez DPH)
215,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 050 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 88,92 Kč | 177,84 Kč |
| 20 - 98 | 83,485 Kč | 166,97 Kč |
| 100 - 198 | 75,46 Kč | 150,92 Kč |
| 200 - 498 | 71,135 Kč | 142,27 Kč |
| 500 + | 66,69 Kč | 133,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-8622
- Výrobní číslo:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 850V | |
| Řada | EF | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.305Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 34W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | +150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 850V | ||
Řada EF | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.305Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 34W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota +150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay EF, maximální zdrojové napětí vypouštění 850 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 6,5 A – SiHA17N80AEF-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a řízení napájení v náročných elektronických systémech. Dodává se v pouzdru TO-220 určeném pro povrchovou montáž a podporuje rozšířené provozní teploty, díky čemuž je vhodný pro aplikace vyžadující výkon v širokém tepelném rozsahu a robustnost na úrovni automobilové výroby.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 850 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6.5 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 0.305 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typický náboj hradla 63 nC snižuje poptávku po spínací energii
• Maximální ztrátový výkon 34 W zvládá tepelné namáhání v provozu
• Provozní rozsah -55 °C až +150 °C odolává extrémním teplotám
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6.5 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 0.305 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typický náboj hradla 63 nC snižuje poptávku po spínací energii
• Maximální ztrátový výkon 34 W zvládá tepelné namáhání v provozu
• Provozní rozsah -55 °C až +150 °C odolává extrémním teplotám
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro automobilovou elektroniku splňující požadavky AEC-Q101
• Používá se s průmyslovými motorovými pohony vyžadujícími robustní spínání
• Umožňuje použití ve stupních SMPS pro manipulaci s vysokonapěťovými lištami
• Používá se pro spínání napájení v rozhraních pro obnovitelnou energii
• Ideální pro automobilovou elektroniku splňující požadavky AEC-Q101
• Používá se s průmyslovými motorovými pohony vyžadujícími robustní spínání
• Umožňuje použití ve stupních SMPS pro manipulaci s vysokonapěťovými lištami
• Používá se pro spínání napájení v rozhraních pro obnovitelnou energii
Jaké limity napětí hradla musí být dodržovány pro bezpečný provoz?
Zařízení nesmí překročit napětí zdroje hradla 30 V, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla.
Jak balení ovlivňuje tepelnou manipulaci?
Pouzdro TO-220 umožňuje efektivní chlazení a při správné montáži podporuje uvedený ztrátový výkon 34 W.
Jaké vlastnosti kanálu ovlivňují volbu topologie obvodu?
Jelikož se jedná o zařízení s režimem vyčerpání N-kanálu, vede bez pohonu hradla a vyžaduje strategie zkreslení hradla pro řízení chování ve vypnutém stavu.
Je zařízení vhodné pro regulovaná automobilová prostředí?
Splňuje normy AEC-Q101 pro automobilový průmysl a je specifikován pro rozšířené teplotní limity, aby splňovaly požadavky systémů vozidel.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: E MOSFET SiHP17N80AEF-GE3 N-kanálový 15 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHP6N80AE-GE3 N-kanálový 5 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHP21N80AEF-GE3 N-kanálový 165.3 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SiHA5N80AE-GE3 N-kanálový 3 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení