AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SIHA15N80AEF-GE3 N-kanálový 6 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 239-8619
Výrobní číslo:: SIHA15N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SIHA15N80AEF-GE3 N-kanálový 6 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 323,35 Kč

(bez DPH)

1 601,25 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	26,467 Kč	1 323,35 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 239-8619
Výrobní číslo:: SIHA15N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	850V
	Typ balení	TO-220
	Řada	EF
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.35Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	54nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	33W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 850V
	Typ balení TO-220
	Řada EF
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.35Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 33W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Výkonový MOSFET řady Vishay EF, napětí zdroje vypouštění 850 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A – SIHA15N80AEF-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové polovodičové zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a řízení napájení v náročných prostředích. Dodává se v pouzdru TO-220 pro povrchovou montáž a je určen pro aplikace, které vyžadují robustní vysokonapěťovou schopnost, řízené chování hradla a provoz v širokém rozsahu teplot.

Charakteristiky a výhody:

• Odvodňovací napětí 850 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A podporuje středně výkonné zátěže
• Rds(on) 0.35 Ω minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 33 W umožňuje trvalou tepelnou manipulaci
• Typický náboj hradla 54 nC umožňuje předvídatelnou konstrukci hradlového pohonu
• Jmenovitá hodnota hradla ±30 V chrání před nadměrným namáháním hradla

Aplikace

• Vhodné pro průmyslové vysokonapěťové výkonové měniče
• Ideální pro automobilovou elektroniku splňující požadavky AEC-Q101
• Používá se se spínanými napájecími zdroji a měniči
• Lze použít pro spínání motorového pohonu na předním konci
• Vhodné pro pomocné napájecí zdroje v náročných prostředích

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě fungovat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až +150 °C pro širokou toleranci prostředí a spojení.

Jak je konstrukce pohonu hradla ovlivněna zařízením?

Typický náboj hradla 54 nC definuje požadavky na energii hradla a informuje o kompromisech mezi proudem budiče a spínací rychlostí.

Jaké úvahy ohledně balení a montáže platí?

Pouzdro TO-220 je určeno pro povrchovou montáž a nabízí pohodlné možnosti tepelného připojení pro chladiče.

Jakou polaritu a chování kanálu by konstruktéři měli očekávat?

Zařízení je N-kanálový tranzistor s vyčerpávacím režimem, který vyžaduje vhodné strategie předpětí a řízení v konstrukcích obvodů.