AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SIHA15N80AEF-GE3 Typ N-kanálový 6 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 239-8619
Výrobní číslo:: SIHA15N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SIHA15N80AEF-GE3 Typ N-kanálový 6 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 323,35 Kč

(bez DPH)

1 601,25 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 950 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	26,467 Kč	1 323,35 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 239-8619
Výrobní číslo:: SIHA15N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	850V
	Typ balení	TO-220
	Řada	EF
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.35Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Maximální ztrátový výkon Pd	33W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	54nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 850V
	Typ balení TO-220
	Řada EF
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.35Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Maximální ztrátový výkon Pd 33W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Výkonový MOSFET řady Vishay EF, napětí zdroje vypouštění 850 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A – SIHA15N80AEF-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový spínací tranzistor určený pro náročná elektronická a automobilová prostředí. Funguje jako vyčerpávací zařízení s N-kanálem v robustním povrchovém pouzdru TO-220, navrženém pro zvládnutí zvýšených napětí a teplot při rozhraní se standardními úrovněmi pohonu hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 850 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A podporuje mírné zátěžové proudy • Rozptýlení výkonu 33 W umožňuje trvalou tepelnou manipulaci • Rds(on) 0,35 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži • Typické náboje hradla 54 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání • Maximální tolerance hradla 30 V chrání před přepětím hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje v průmyslové automatizaci • Ideální pro automobilové subsystémy vyžadující shodu s normou AEC‐Q101 • Používá se pro obvody řízení motoru vyžadující robustní spínací zařízení • Lze použít pro měniče DC/DC v elektrických systémech • Používá se s vysokonapěťovými měničovými stupni v elektromechanických zařízeních

Jaké extrémní teploty může toto zařízení tolerovat při provozu?

Pracuje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.

Jak je zařízení namontováno a integrováno do sestav?

Dodává se v pouzdru TO-220 pro povrchovou montáž se třemi kolíky pro snadnou montáž do panelu nebo na chladič.

Jaká úroveň ochrany je poskytována pro environmentální směrnice?

Součást splňuje normy RoHS, což naznačuje soulad s omezenými nebezpečnými látkami pro materiály.

Jak specifikace hradla ovlivňuje pohonové obvody?

Hradlo přijímá napětí až 30 V, takže stupně budiče by měly být navrženy tak, aby zůstaly v rámci tohoto limitu, aby se zabránilo namáhání hradla.