řada: E Výkonový MOSFET SIHA24N80AE-GE3 N-kanálový 9 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 228-2836
Výrobní číslo:: SIHA24N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: E Výkonový MOSFET SIHA24N80AE-GE3 N-kanálový 9 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

2 093,55 Kč

(bez DPH)

2 533,20 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

650 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	41,871 Kč	2 093,55 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 228-2836
Výrobní číslo:: SIHA24N80AE-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	9A
	Maximální napětí na zdroji Vds	850V
	Typ balení	TO-220
	Řada	E
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	184mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	59nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	35W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A
	Maximální napětí na zdroji Vds 850V
	Typ balení TO-220
	Řada E
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 184mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 59nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 35W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHA24N80AE-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, napětí drain-zdroj 850 V, nepřetržitý drainový proud 9 A – SIHA24N80AE-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a řízení výkonu v sestavách s průchozím otvorem. Dodává se v pouzdru TO-220 vhodném pro tradiční montážní metody a je navržen tak, aby pracoval v širokém tepelném rozsahu pro náročné elektronické systémy.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita vypouštění 850 V pro vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 9 A pro trvalou manipulaci s výkonem
• Rds(on) 184 mΩ snižuje ztráty při vedení při provozním proudu
• Maximální ztrátový výkon 35 W umožňuje výrazný výkon
• Typický náboj hradla 59 nC umožňuje předvídatelnou dynamiku spínání
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V podporuje běžná napětí hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Používá se pro průmyslové spínací stupně motorových pohonů
• Ideální pro středně výkonné měniče a měniče
• Lze použít pro převod DC/DC v telekomunikačních zařízeních
• Vhodné pro laboratorní a prototypovací konstrukce s průchozím otvorem

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Pracuje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích.

Jak přímé napětí ovlivňuje spínací obvody?

Posuvné napětí 1,2 V ovlivňuje pokles vedení během vedení těleso-dioda a mělo by být vzato v úvahu při odhadu ztrát při reverzním zotavení.

Je zařízení vhodné pro elektronické systémy v automobilovém průmyslu?

Není specifikován podle automobilových norem, takže se doporučuje další ověření pro aplikace ve vozidlech.

Jaké úvahy o montáži a připojení se vztahují na řízení teploty?

Formát průchozího otvoru TO-220 umožňuje přímý chladič na jazýčku pro lepší rozptyl tepla až do uvedeného limitu výkonu.