AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SiHA17N80AEF-GE3 N-kanálový 6.5 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 239-8621
Výrobní číslo:: SiHA17N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

AEC-Q101, řada: EF Výkonový MOSFET SiHA17N80AEF-GE3 N-kanálový 6.5 A 850 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 570,15 Kč

(bez DPH)

1 899,90 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 1 050 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za tubu*
50 +	31,403 Kč	1 570,15 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 239-8621
Výrobní číslo:: SiHA17N80AEF-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	Výkonový MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	6.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	850V
	Typ balení	TO-220
	Řada	EF
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	0.305Ω
	Režim kanálu	Vyčerpání
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	63nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	34W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální provozní teplota	+150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu Výkonový MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 850V
	Typ balení TO-220
	Řada EF
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 0.305Ω
	Režim kanálu Vyčerpání
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 34W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální provozní teplota +150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay EF, maximální zdrojové napětí vypouštění 850 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 6,5 A – SiHA17N80AEF-GE3

Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a řízení napájení v náročných elektronických systémech. Dodává se v pouzdru TO-220 určeném pro povrchovou montáž a podporuje rozšířené provozní teploty, díky čemuž je vhodný pro aplikace vyžadující výkon v širokém tepelném rozsahu a robustnost na úrovni automobilové výroby.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 850 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6.5 A podporuje mírné zatěžovací proudy
• Rds(on) 0.305 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Typický náboj hradla 63 nC snižuje poptávku po spínací energii
• Maximální ztrátový výkon 34 W zvládá tepelné namáhání v provozu
• Provozní rozsah -55 °C až +150 °C odolává extrémním teplotám

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro automobilovou elektroniku splňující požadavky AEC-Q101
• Používá se s průmyslovými motorovými pohony vyžadujícími robustní spínání
• Umožňuje použití ve stupních SMPS pro manipulaci s vysokonapěťovými lištami
• Používá se pro spínání napájení v rozhraních pro obnovitelnou energii

Jaké limity napětí hradla musí být dodržovány pro bezpečný provoz?

Zařízení nesmí překročit napětí zdroje hradla 30 V, aby se zabránilo namáhání oxidem hradla.

Jak balení ovlivňuje tepelnou manipulaci?

Pouzdro TO-220 umožňuje efektivní chlazení a při správné montáži podporuje uvedený ztrátový výkon 34 W.

Jaké vlastnosti kanálu ovlivňují volbu topologie obvodu?

Jelikož se jedná o zařízení s režimem vyčerpání N-kanálu, vede bez pohonu hradla a vyžaduje strategie zkreslení hradla pro řízení chování ve vypnutém stavu.

Je zařízení vhodné pro regulovaná automobilová prostředí?

Splňuje normy AEC-Q101 pro automobilový průmysl a je specifikován pro rozšířené teplotní limity, aby splňovaly požadavky systémů vozidel.