řada: ISC MOSFET ISC080N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 75 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 235-4871
- Výrobní číslo:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
244,53 Kč
(bez DPH)
295,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 320 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,906 Kč | 244,53 Kč |
| 50 - 120 | 46,486 Kč | 232,43 Kč |
| 125 - 245 | 44,558 Kč | 222,79 Kč |
| 250 - 495 | 42,582 Kč | 212,91 Kč |
| 500 + | 39,618 Kč | 198,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 235-4871
- Výrobní číslo:
- ISC080N10NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 75A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | ISC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.05mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.35mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 75A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada ISC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.05mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.35mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslový výkonový MOSFET Infineon OptMOS™ 6 100V je určen pro vysokofrekvenční spínací aplikace, jako je telekomunikační a serverové napájení, ale také ideální volbou pro jiné aplikace, jako je solární, elektrické nářadí a drony. Ve srovnání s alternativními produkty umožňuje špičková technologie tenkých plátků společnosti Infineon významné výhody výkonu.
Nižší a měkčí poplatek za zpětné obnovení
Ideální pro vysokou spínací frekvenci
Vysoká lavinová energetická účinnost
Vyhovuje RoHS
Nízké ztráty vedení
Nízké ztráty při spínání
Ohleduplné k životnímu prostředí
Související odkazy
- řada: ISC MOSFET ISC080N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 75 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC060N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC030N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 179 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC027N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 192 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC230N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 31 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET Typ N-kanálový 238 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET Typ N-kanálový 288 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC012N04LM6ATMA1 Typ N-kanálový 238 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení