řada: ISC MOSFET ISC012N04LM6ATMA1 N-kanálový 238 A 40 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 233-4395
- Výrobní číslo:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
417,92 Kč
(bez DPH)
505,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 940 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 41,792 Kč | 417,92 Kč |
| 50 - 90 | 39,718 Kč | 397,18 Kč |
| 100 - 240 | 38,063 Kč | 380,63 Kč |
| 250 - 490 | 36,358 Kč | 363,58 Kč |
| 500 + | 33,888 Kč | 338,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 233-4395
- Výrobní číslo:
- ISC012N04LM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 238A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TDSON | |
| Řada | ISC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.35mm | |
| Šířka | 1.2mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 238A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TDSON | ||
Řada ISC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.35mm | ||
Šířka 1.2mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových tranzistorů MOSFET 6 OptiMOS 40 v Infineon má velmi nízký odpor RDS (ON) a je optimalizována pro synchronní použití.
Vyšší provozní teplota na 175 °C.
Vynikající tepelný výkon
Související odkazy
- řada: ISC MOSFET N-kanálový 238 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET N-kanálový 288 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC011N06LM5ATMA1 N-kanálový 288 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC110N12NM6ATMA1 N-kanálový 62 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC320N12LM6ATMA1 N-kanálový 24 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC035N10NM5LF2ATMA1 N-kanálový 164 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC OptiMOST výkonový MOSFET N-kanálový 63 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC080N10NM6ATMA1 N-kanálový 75 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový