řada: ISC MOSFET ISC110N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 62 A 120 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-146
- Výrobní číslo:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
441,14 Kč
(bez DPH)
533,78 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 420 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 44,114 Kč | 441,14 Kč |
| 100 - 490 | 29,936 Kč | 299,36 Kč |
| 500 + | 22,996 Kč | 229,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-146
- Výrobní číslo:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | ISC | |
| Typ balení | PG-TDSON-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 94W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada ISC | ||
Typ balení PG-TDSON-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 94W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS 6 je N-kanálový tranzistor MOSFET s normální úrovní, určený pro výkonové aplikace s vysokou účinností. Vyznačuje se velmi nízkým zapínacím odporem (RDS(on)), což snižuje ztráty při vedení a zvyšuje energetickou účinnost. Tranzistor nabízí vynikající součin náboje hradla a RDS(on) (FOM), což zvyšuje spínací výkon. Díky velmi nízkému zpětnému náboji (Qrr) minimalizuje spínací ztráty, takže je ideální pro aplikace s rychlým spínáním. Má také vysokou lavinovou energii, která zajišťuje odolnost v přechodových podmínkách. Kromě toho MOSFET pracuje při teplotě 175 °C, což zajišťuje vysokou tepelnou odolnost pro náročné aplikace.
Optimalizováno pro vysokofrekvenční spínání a synchronní usměrňování
Bezolovnaté pokovení a splnění požadavků RoHS
Bezhalogenové podle IEC61249-2-21
Klasifikace MSL 1 podle J-STD-020
Související odkazy
- řada: ISC MOSFET ISC320N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 24 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC OptiMOST výkonový MOSFET Typ N-kanálový 63 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC035N10NM5LF2ATMA1 Typ N-kanálový 164 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISCH42N04LM7ATMA1 Typ N-kanálový 541 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC Mosfetový kanál N ISC078N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 85 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISC046N13NM6ATMA1 Typ N-kanálový 142 A 135 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISC OptiMOST výkonový MOSFET ISC045N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 63 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISC MOSFET Typ N-kanálový 288 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení