řada: ISC MOSFET ISC035N10NM5LF2ATMA1 Typ N-kanálový 164 A 100 V Infineon, PG-TDSON-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 349-141
- Výrobní číslo:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
259,60 Kč
(bez DPH)
314,12 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 4 794 jednotka(y) budou odesílané od 08. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 129,80 Kč | 259,60 Kč |
| 20 - 198 | 116,955 Kč | 233,91 Kč |
| 200 - 998 | 107,69 Kč | 215,38 Kč |
| 1000 - 1998 | 100,035 Kč | 200,07 Kč |
| 2000 + | 89,54 Kč | 179,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-141
- Výrobní číslo:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 164A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PG-TDSON-8 | |
| Řada | ISC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 217W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 164A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PG-TDSON-8 | ||
Řada ISC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 217W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V je N-kanálový MOSFET s normální úrovní, speciálně navržený pro hot-swap, ochranu baterií a aplikace s elektronickými pojistkami. Vyznačuje se velmi nízkým zapínacím odporem (RDS(on)), který pomáhá minimalizovat ztráty při vedení a zvyšuje účinnost. MOSFET také nabízí širokou bezpečnou provozní oblast (SOA), která zajišťuje spolehlivý výkon v různých provozních podmínkách. Díky těmto vlastnostem je ideální volbou pro aplikace vyžadující robustní, efektivní a spolehlivou správu napájení.
100% lavinový test
Bezolovnaté pokovení a shoda s RoHS
Bezhalogenové podle IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: ISC MOSFET ISC110N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 62 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC320N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 24 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISCH42N04LM7ATMA1 Typ N-kanálový 541 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISC046N13NM6ATMA1 Typ N-kanálový 142 A 135 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISC Mosfetový kanál N ISC078N12NM6ATMA1 Typ N-kanálový 85 A 120 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC OptiMOST výkonový MOSFET ISC045N03L5SATMA1 Typ N-kanálový 63 A 30 V Infineon počet kolíků: 8
- řada: ISC OptiMOST výkonový MOSFET Typ N-kanálový 63 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC Výkonový tranzistor ISC032N12LM6ATMA1 Typ N-kanálový 170 A 120 V Infineon počet kolíků: 8