řada: ISC MOSFET ISC027N10NM6ATMA1 N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 235-4865
- Výrobní číslo:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
213,41 Kč
(bez DPH)
258,23 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 106,705 Kč | 213,41 Kč |
| 20 - 48 | 94,105 Kč | 188,21 Kč |
| 50 - 98 | 87,44 Kč | 174,88 Kč |
| 100 - 198 | 81,015 Kč | 162,03 Kč |
| 200 + | 75,83 Kč | 151,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 235-4865
- Výrobní číslo:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 192A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | ISC | |
| Typ balení | TDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.24mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 245W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.1mm | |
| Délka | 6.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 192A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada ISC | ||
Typ balení TDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.24mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 245W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.1mm | ||
Délka 6.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady ISC, maximální zdrojové napětí 100 V, maximální ztrátový výkon 245 W – ISC027N10NM6ATMA1
Tento MOSFET je vysokoproudý spínací tranzistor navržený pro prostředí s převodem výkonu a pohonem motoru, který nabízí robustní provoz v širokém rozsahu teplot a povrchovou montáž vhodnou pro kompaktní sestavy. Poskytuje nízké ztráty vedení a značnou manipulaci s proudem pro náročné aplikace, kde je kritické blokování napětí a řízení hradla.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý vypouštěcí proud 100 V umožňuje spínání při vysokém napětí
• nepřetržitý vypouštěcí proud 192 A podporuje provoz při velkém zatížení
• Rds(on) 2.24 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Rozptýlení výkonu 245 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 91 nC vyváží požadavky na pohony a spínací rychlost
• Jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V umožňuje široký prostor pro pohon hradla
• nepřetržitý vypouštěcí proud 192 A podporuje provoz při velkém zatížení
• Rds(on) 2.24 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Rozptýlení výkonu 245 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 91 nC vyváží požadavky na pohony a spínací rychlost
• Jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V umožňuje široký prostor pro pohon hradla
Aplikace
• Vhodné jako výkonový tranzistor MOSFET 100 V, 192 A pro motorové pohony
• Ideální pro vysokoproudé měniče DC/DC v kompaktních systémech
• Používá se se stupněmi řízení akumulátoru a trakčního měniče
• Lze použít pro výkonové stupně vyžadující MOSFET s nízkou hodnotou Rds(on) a ztrátou výkonu 245 W
• Vhodné pro vysoce teplotní prostředí MOSFET od -55 °C do 175 °C
• Ideální pro vysokoproudé měniče DC/DC v kompaktních systémech
• Používá se se stupněmi řízení akumulátoru a trakčního měniče
• Lze použít pro výkonové stupně vyžadující MOSFET s nízkou hodnotou Rds(on) a ztrátou výkonu 245 W
• Vhodné pro vysoce teplotní prostředí MOSFET od -55 °C do 175 °C
Jaký typ montáže se pro tuto součást používá?
Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON pro povrchovou montáž určeném pro montáž na úrovni desky.
Jaké tepelné extrémy může toto zařízení tolerovat během provozu?
Provozní rozsah se rozšiřuje od -55 °C až do 175 °C, což umožňuje použití v podmínkách s vysokou teplotou.
Jaká je charakteristika napětí ve směru během vedení?
Propojovací napětí Vf je specifikováno na 1 V za podmínek vedení.
Kolik kolíků obsahuje toto pouzdro pro uspořádání desek plošných spojů?
Zařízení má 8kolíkovou konfiguraci pro tepelné a elektrické zakončení.
Související odkazy
- řada: ISC MOSFET ISC027N10NM6ATMA1 N-kanálový 192 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC080N10NM6ATMA1 N-kanálový 75 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC060N10NM6ATMA1 N-kanálový 97 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC030N10NM6ATMA1 N-kanálový 179 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET ISC230N10NM6ATMA1 N-kanálový 31 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: ISC MOSFET N-kanálový 238 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET N-kanálový 288 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ISC MOSFET ISC230N10NM6ATMA1 Typ N-kanálový 31 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový