řada: ISC MOSFET ISC027N10NM6ATMA1 N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 235-4864
Výrobní číslo:: ISC027N10NM6ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: ISC MOSFET ISC027N10NM6ATMA1 N-kanálový 192 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

201 550,00 Kč

(bez DPH)

243 900,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

5 000 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	40,31 Kč	201 550,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 235-4864
Výrobní číslo:: ISC027N10NM6ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	192A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TDSON
	Řada	ISC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	2.24mΩ
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	91nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	245W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Šířka	1.1mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.1mm
	Výška	5.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 192A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TDSON
	Řada ISC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 2.24mΩ
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 91nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 245W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Šířka 1.1mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.1mm
	Výška 5.1mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - ISC027N10NM6ATMA1

MOSFET Infineon řady ISC, maximální zdrojové napětí 100 V, maximální ztrátový výkon 245 W – ISC027N10NM6ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudý spínací tranzistor navržený pro prostředí s převodem výkonu a pohonem motoru, který nabízí robustní provoz v širokém rozsahu teplot a povrchovou montáž vhodnou pro kompaktní sestavy. Poskytuje nízké ztráty vedení a značnou manipulaci s proudem pro náročné aplikace, kde je kritické blokování napětí a řízení hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 100 V umožňuje spínání při vysokém napětí
• nepřetržitý vypouštěcí proud 192 A podporuje provoz při velkém zatížení
• Rds(on) 2.24 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro vyšší účinnost
• Rozptýlení výkonu 245 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 91 nC vyváží požadavky na pohony a spínací rychlost
• Jmenovitá hodnota hradla-zdroje 20 V umožňuje široký prostor pro pohon hradla

Aplikace

• Vhodné jako výkonový tranzistor MOSFET 100 V, 192 A pro motorové pohony
• Ideální pro vysokoproudé měniče DC/DC v kompaktních systémech
• Používá se se stupněmi řízení akumulátoru a trakčního měniče
• Lze použít pro výkonové stupně vyžadující MOSFET s nízkou hodnotou Rds(on) a ztrátou výkonu 245 W
• Vhodné pro vysoce teplotní prostředí MOSFET od -55 °C do 175 °C

Jaký typ montáže se pro tuto součást používá?

Dodává se v 8kolíkovém pouzdru TDSON pro povrchovou montáž určeném pro montáž na úrovni desky.

Jaké tepelné extrémy může toto zařízení tolerovat během provozu?

Provozní rozsah se rozšiřuje od -55 °C až do 175 °C, což umožňuje použití v podmínkách s vysokou teplotou.

Jaká je charakteristika napětí ve směru během vedení?

Propojovací napětí Vf je specifikováno na 1 V za podmínek vedení.

Kolik kolíků obsahuje toto pouzdro pro uspořádání desek plošných spojů?

Zařízení má 8kolíkovou konfiguraci pro tepelné a elektrické zakončení.