řada: ISC MOSFET ISC080N10NM6ATMA1 N-kanálový 75 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 235-4870
Výrobní číslo:: ISC080N10NM6ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: ISC MOSFET ISC080N10NM6ATMA1 N-kanálový 75 A 100 V Infineon, TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 5000 kusech)*

87 440,00 Kč

(bez DPH)

105 800,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 12. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
5000 +	17,488 Kč	87 440,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 235-4870
Výrobní číslo:: ISC080N10NM6ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	75A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Řada	ISC
	Typ balení	TDSON
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	8.05mΩ
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	100W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	24nC
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Šířka	1.2mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.1mm
	Výška	5.35mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 75A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Řada ISC
	Typ balení TDSON
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 8.05mΩ
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 100W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Šířka 1.2mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.1mm
	Výška 5.35mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - ISC080N10NM6ATMA1

MOSFET Infineon řady ISC, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 75 A – ISC080N10NM6ATMA1

Tento MOSFET je vysokoproudový N-kanálový tranzistor navržený pro napájecí spínání v kompaktních sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro aplikace vyžadující významnou kapacitu vypouštěcího proudu a tepelnou toleranci v výkonových stupních namontovaných na desce.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 100 V umožňuje robustní napěťový prostor pro výkonové stupně
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 75 A podporuje vysoké požadavky na spínání při zátěži
• Rozptýlení výkonu 100 W umožňuje trvalou tepelnou manipulaci při zátěži
• Rds(on) 8,05 mΩ minimalizuje ztráty při vedení a zvyšuje efektivitu
• Typický náboj hradla 24 nC umožňuje předvídatelný výkon spínání
• Maximální napětí hradla-zdroje 20 V zajišťuje ochranu hradla

Aplikace

• Vhodné pro výstupní stupně měničů DC/DC
• Ideální pro vysokoproudé synchronní usměrňovací úkoly
• Používá se s polovičními můstky pro motorové pohony v kompaktních měničích
• Lze použít pro rozvodné spínače na deskách
• Vhodné pro primární nebo sekundární stupně spínaného napájení

Jaký rozsah provozních teplot může tolerovat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v tepelně náročných prostředích.

Jaké pouzdro a typ montáže mám plánovat?

Dodává se v pouzdru TDSON a je určen pro montáž na PCB.

Jaká jsou omezení fyzického půdorysu?

Pouzdro měří 6,1 mm na délku, 1,2 mm na šířku a 5,35 mm na výšku pro plánování uspořádání.

Jak požadavky na pohon hradla ovlivňují konstrukci spínání?

Typický celkový náboj hradla 24 nC definuje přenos náboje potřebný pro ovladač k dosažení požadovaných spínacích rychlostí.

Jaký typ kanálu a polaritu používá?

Používá konfiguraci N-kanálu vhodnou pro uspořádání na nízké nebo vysoké straně, kde jsou vyžadována zařízení s N-kanálem.