řada: N-Channel 100 V MOSFET SUP70042E-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

439,46 Kč

(bez DPH)

531,745 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
  • Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
  • Plus 405 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4587,892 Kč439,46 Kč
50 - 12079,102 Kč395,51 Kč
125 - 24574,708 Kč373,54 Kč
250 - 49570,314 Kč351,57 Kč
500 +65,04 Kč325,20 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
225-9972
Výrobní číslo:
SUP70042E-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

150A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

N-Channel 100 V

Typ balení

TO-220

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.5mΩ

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

0.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

278W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

84nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Šířka

10.51mm

Délka

29.51mm

Výška

4.65mm

Automobilový standard

Ne

Společnost Vishay Siliconix uchovává data o spolehlivosti pro polovodičovou technologii a spolehlivost balení představují složené ze všech kvalifikovaných umístění.

Výkonový MOSFET TrenchFET

Maximální teplota spoje 175 °C.

Velmi nízká hodnota Qgd snižuje ztrátu výkonu při průchodu v(plateau)

Testováno 100 % RG a UIS

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.