řada: N-Channel 100 V MOSFET SUM70042E-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 225-9970
- Výrobní číslo:
- SUM70042E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
474,24 Kč
(bez DPH)
573,83 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 420 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 94,848 Kč | 474,24 Kč |
| 50 - 120 | 85,364 Kč | 426,82 Kč |
| 125 - 245 | 80,62 Kč | 403,10 Kč |
| 250 - 495 | 75,978 Kč | 379,89 Kč |
| 500 + | 70,296 Kč | 351,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 225-9970
- Výrobní číslo:
- SUM70042E-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | N-Channel 100 V | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 84nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 10.414mm | |
| Délka | 15.875mm | |
| Výška | 4.826mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada N-Channel 100 V | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 84nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 10.414mm | ||
Délka 15.875mm | ||
Výška 4.826mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Společnost Vishay Siliconix uchovává data o spolehlivosti pro polovodičovou technologii a spolehlivost balení představují složené ze všech kvalifikovaných umístění.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Maximální teplota spoje 175 °C.
Velmi nízká hodnota Qgd snižuje ztrátu výkonu při průchodu v(plateau)
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: N-Channel 100 V MOSFET SUM70042E-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: N-Channel 100 V MOSFET SUP70042E-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SUM70030M-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM MOSFET SUM70042M-GE3 N-kanálový 150 A 100 V Vishay počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF530S MOSFET SIHF530STRR-GE3 N-kanálový 14 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUM70040E MOSFET SUM70040E-GE3 N-kanálový 120 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIJH800E-T1-GE3 N-kanálový 299 A 80 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIJH800E-T1-GE3 Typ N-kanálový 299 A 80 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový