řada: N-Channel 80 V MOSFET SIJH800E-T1-GE3 Typ N-kanálový 299 A 80 V Vishay, PowerPAK (8x8L), počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

258,36 Kč

(bez DPH)

312,62 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 4 874 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 18129,18 Kč258,36 Kč
20 - 48122,76 Kč245,52 Kč
50 - 9899,42 Kč198,84 Kč
100 - 19890,40 Kč180,80 Kč
200 +75,09 Kč150,18 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
225-9921
Výrobní číslo:
SIJH800E-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

299A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PowerPAK (8x8L)

Řada

N-Channel 80 V

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

1.8mΩ

Maximální ztrátový výkon Pd

3.3W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

210nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

8mm

Normy/schválení

No

Délka

8.1mm

Automobilový standard

Ne

Společnost Vishay Siliconix uchovává data o spolehlivosti pro polovodičovou technologii a spolehlivost balení představují složené ze všech kvalifikovaných umístění.

Výkonový MOSFET TranchFET Gen IV

Zařízení zcela bez olova (Pb)

Optimalizované hodnoty Qg, Qgd a poměr Qgd/Qgs snižují výkonové ztráty v důsledku spínání

O 50 % menší půdorys než D2PAK (TO-263)

Testováno 100 % RG a UIS

Související odkazy