řada: N-Channel 100 V MOSFET SIR5102DP-T1-RE3 N-kanálový 110 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 225-9926
- Výrobní číslo:
- SIR5102DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
530,56 Kč
(bez DPH)
641,98 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 990 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 106,112 Kč | 530,56 Kč |
| 50 - 120 | 100,974 Kč | 504,87 Kč |
| 125 - 245 | 84,87 Kč | 424,35 Kč |
| 250 - 495 | 79,732 Kč | 398,66 Kč |
| 500 + | 74,348 Kč | 371,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 225-9926
- Výrobní číslo:
- SIR5102DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | N-Channel 100 V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.6mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 6.25W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.25mm | |
| Výška | 5.26mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada N-Channel 100 V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.6mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 6.25W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.25mm | ||
Výška 5.26mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Společnost Vishay Siliconix uchovává data o spolehlivosti pro polovodičovou technologii a spolehlivost balení představují složené ze všech kvalifikovaných umístění.
Výkonový MOSFET TranchFET Gen IV
Velmi nízká hodnota zásluh RDS x QG (FOM)
Vyladěno pro nejnižší RDS x Qoss FOM
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: N-Channel 100 V MOSFET SIR5102DP-T1-RE3 N-kanálový 110 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR5102DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: N-Channel 150 V MOSFET SIR572DP-T1-RE3 N-kanálový 59.7 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: N-Channel 80 V MOSFET SIR5802DP-T1-RE3 N-kanálový 137.5 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: N-Channel 150 V MOSFET SiR578DP-T1-RE3 N-kanálový 70.2 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR512DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SIR120DP-T1-RE3 N-kanálový 24.7 A 80 V Vishay, PowerPAK SO-8
- řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový