AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET AUIRF7341QTR Typ N-kanálový 5.1 A 55 V, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 223-8453
- Výrobní číslo:
- AUIRF7341QTR
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
453,49 Kč
(bez DPH)
548,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 15 320 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 45,349 Kč | 453,49 Kč |
| 50 - 90 | 43,102 Kč | 431,02 Kč |
| 100 - 240 | 41,249 Kč | 412,49 Kč |
| 250 - 490 | 39,446 Kč | 394,46 Kč |
| 500 + | 36,729 Kč | 367,29 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 223-8453
- Výrobní číslo:
- AUIRF7341QTR
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 500mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 500mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový MOSFET Infineon HEXFET v duálním BALENÍ SO-8 využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Efektivní BALENÍ SO-8 poskytuje vylepšené tepelné vlastnosti a schopnost duálního MOSFET die, takže je ideální v různých energetických aplikacích.
Rovinná technologie Advanced
Dynamické hodnocení DV/DT
Budič hradla logické úrovně
Provozní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Bezolovnatá
Vyhovuje RoHS
Splňuje požadavky pro automobilový průmysl
Související odkazy
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET IRF7341GTRPBF Typ N-kanálový 5.1 A 55 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5.1 A 55 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální N-kanálový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení