AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET AUIRF7341QTR N-kanálový 5.1 A 55 V, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

518,95 Kč

(bez DPH)

627,93 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 4051,895 Kč518,95 Kč
50 - 9049,326 Kč493,26 Kč
100 - 24047,226 Kč472,26 Kč
250 - 49045,152 Kč451,52 Kč
500 +42,039 Kč420,39 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
223-8453
Výrobní číslo:
AUIRF7341QTR
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

5.1A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Typ balení

SO-8

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

500mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

29nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Konfigurace tranzistoru

Duální

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

5mm

Šířka

4mm

Normy/schválení

No

Výška

1.5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový MOSFET Infineon HEXFET v duálním BALENÍ SO-8 využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Efektivní BALENÍ SO-8 poskytuje vylepšené tepelné vlastnosti a schopnost duálního MOSFET die, takže je ideální v různých energetických aplikacích.

Rovinná technologie Advanced

Dynamické hodnocení DV/DT

Budič hradla logické úrovně

Provozní teplota 175 °C

Rychlé spínání

Bezolovnatá

Vyhovuje RoHS

Splňuje požadavky pro automobilový průmysl

Související odkazy