řada: HEXFET MOSFET IRF7341GTRPBF N-kanálový 5.1 A 55 V, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 217-2603
- Výrobní číslo:
- IRF7341GTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
367,54 Kč
(bez DPH)
444,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
- Plus 5 410 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 36,754 Kč | 367,54 Kč |
| 50 - 90 | 34,926 Kč | 349,26 Kč |
| 100 - 240 | 33,469 Kč | 334,69 Kč |
| 250 - 490 | 31,987 Kč | 319,87 Kč |
| 500 + | 29,788 Kč | 297,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2603
- Výrobní číslo:
- IRF7341GTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.4W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální N-kanálový MOSFET | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.4W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální N-kanálový MOSFET | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon HEXFET ® v duálním BALENÍ SO-8 využívají nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízké odolnosti proti působení křemíku na plochu. Dalšími vlastnostmi těchto výkonových tranzistorů MOSFET HEXFET jsou provozní teplota 175°C křižovatky, rychlá spínací rychlost a vylepšené opakované hodnocení lavin. Tyto výhody se kombinují, aby se tento design mohl vytvořit mimořádně efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v široké řadě dalších aplikací. Díky hodnocení 175 °C pro sadu SO-8 je lepší tepelný výkon, vyšší bezpečná provozní plocha a možnost duálního MOSFET die ideální pro celou řadu aplikací napájení. Tato duální povrchová montáž SO-8 může výrazně snížit prostor na desce a je k dispozici také v páskové a cívkové desce.
Špičková technologie zpracování
Dvojitý tranzistor MOSFET N-kanál
Obzvláště nízký zapínací odpor
Pracovní teplota 175 °C
Možnost opakovaného průrazu až do hodnoty Tjmax
Bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5.1 A 55 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální N-kanálový
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF8734TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET IRF7311TRPBF Typ N-kanálový 6.6 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 10 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální