řada: HEXFET MOSFET IRFR3910TRLPBF Typ N-kanálový 16 A 110 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4753
- Výrobní číslo:
- IRFR3910TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
484,86 Kč
(bez DPH)
586,68 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
- Plus 6 280 jednotka(y) budou odesílané od 04. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 24,243 Kč | 484,86 Kč |
| 100 - 180 | 20,131 Kč | 402,62 Kč |
| 200 - 480 | 18,995 Kč | 379,90 Kč |
| 500 - 980 | 18,501 Kč | 370,02 Kč |
| 1000 + | 18,056 Kč | 361,12 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4753
- Výrobní číslo:
- IRFR3910TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 16A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 110V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.12mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 79W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Šířka | 2.39mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 6.22mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 16A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 110V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.12mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 79W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Šířka 2.39mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 6.22mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Konstrukce výkonových tranzistorů MOSFET HEXFET® od společnosti International Rectifier společnosti Infineon využívá techniky zpracování Advanced k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku na každou oblast. Tato výhoda v kombinaci s vysokou spínací rychlostí a robustní konstrukce zařízení, které jsou vysoce známé výkonovými tranzistory MOSFET HEXFET, poskytuje návrháři mimořádně efektivní a spolehlivé zařízení pro použití v široké škále aplikací.
Špičková technologie zpracování
Dynamické jmenovité hodnoty dv/dt
Rychlé spínání
Plně Avalanche hodnoceno
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 16 A 110 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR7540TRPBF Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 31 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení