řada: HEXFET MOSFET IRFR7540TRPBF Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-5806
- Výrobní číslo:
- IRFR7540TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
69,41 Kč
(bez DPH)
83,985 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 470 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,882 Kč | 69,41 Kč |
| 50 - 120 | 12,202 Kč | 61,01 Kč |
| 125 - 245 | 11,51 Kč | 57,55 Kč |
| 250 - 495 | 11,016 Kč | 55,08 Kč |
| 500 + | 10,72 Kč | 53,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5806
- Výrobní číslo:
- IRFR7540TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 110A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 86nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 86nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon HEXFET power MOSFET je vylepšená brána, lavinová a dynamická odolnost dV/dt a plně charakterizovaná kapacitnost a lavinová SOA.
Vylepšená dioda těla dV/dt a dI/dt
Bezolovnatý, v souladu s RoHS
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR1018ETRPBF Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRLR3636TRLPBF Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR3806TRPBF Typ N-kanálový 43 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-263