řada: HEXFET MOSFET IRLR3636TRLPBF Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-9458
- Výrobní číslo:
- IRLR3636TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
113,87 Kč
(bez DPH)
137,785 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 790 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,774 Kč | 113,87 Kč |
| 50 - 120 | 19,81 Kč | 99,05 Kč |
| 125 - 245 | 18,426 Kč | 92,13 Kč |
| 250 - 495 | 17,24 Kč | 86,20 Kč |
| 500 + | 12,498 Kč | 62,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9458
- Výrobní číslo:
- IRLR3636TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 99A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.3mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 143W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.3mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 143W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16 V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRLR je 60V jednoduchý N-kanálový výkonový mosfet v pouzdru D-Pak. Výkonná řada IRFET Power Mosfet je optimalizována pro nízký RDS (zapnutí) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLR3636TRPBF Typ N-kanálový 99 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR1018ETRPBF Typ N-kanálový 79 A 60 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR7540TRPBF Typ N-kanálový 110 A 60 V Infineon, TO-252