řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 99 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 124-8776
Výrobní číslo:: IRLR3636TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 99 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (2000 jednotky/-ek, v kotouči po 2000 ks)*

32 544,00 Kč

(bez DPH)

39 378,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 13. dubna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	16,272 Kč	32 544,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 124-8776
Výrobní číslo:: IRLR3636TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	99A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-252
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	8.3mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	143W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-16V, +16V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	49nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	2.39mm
	Šířka	6.22mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.73mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 99A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-252
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 8.3mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 143W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -16V, +16V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 2.39mm
	Šířka 6.22mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.73mm
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 99 A – IRLR3636TRPBF

Tento n-kanálový vylepšovací MOSFET od společnosti Infineon je výkonový tranzistor navržený pro vysokoproudé spínání v obvodech pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro aplikace vyžadující robustní manipulaci s napětím odtoku-zdroje a značnou kapacitu stejnosměrného proudu. Zařízení je vybaveno pouzdrem TO-252 pro kompaktní montáž na úroveň desky a jmenovitou hodnotou hradla, která podporuje typická napětí budiče hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 99 A umožňuje spínání při vysokém proudu
• Maximální napětí drain-zdroj 60 V podporuje systémy středního napětí
• Velmi nízké hodnoty Rds(on) 8.3 mΩ snižují ztráty při vedení
• Maximální ztrátový výkon 143 W umožňuje trvale vysoký výkon
• Typické nabití hradla 49 nC umožňuje předvídatelnou dynamiku spínání
• Proudové napětí 1,3 V minimalizuje pokles napětí při zátěži

Aplikace

• Ideální pro stupně budiče motoru v elektrických pohonech
• Vhodné pro vysokoproudé měniče a regulátory DC/DC
• Používá se se správou baterií a moduly rozvodu napájení
• Lze použít pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Vhodné pro průmyslové spínání v pohonech s proměnnými otáčkami

Jaké limity napětí hradla musí být při návrhu dodržovány?

Zařízení nesmí být napájeno nad jmenovité napětí zdroje hradla 16 V, aby se předešlo namáhání oxidem hradla a bylo zajištěno spolehlivé spínání.

Jaké teplotní podmínky může tolerovat při provozu?

Tranzistor je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v náročných tepelných prostředích s vhodným tepelným řízením.

Jak balení ovlivňuje uspořádání a montáž desky?

Formát TO-252 pro povrchovou montáž zajišťuje kompaktní půdorys a tepelnou cestu k desce plošných spojů, což usnadňuje připojení s nízkou indukčností a efektivní přenos tepla.

Jakým způsobem ovlivňuje jeho typ kanálu spínací chování?

Jelikož je to vylepšovací zařízení s N-kanálem, znamená to, že k zapnutí vyžaduje kladný pohon hradla vzhledem ke zdroji, což nabízí nízké hodnoty Rds(on) při vhodném zapnutí.