řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 161 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-5923
Výrobní číslo:: IRLR7843TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 161 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

18 154,00 Kč

(bez DPH)

21 966,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	9,077 Kč	18 154,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5923
Výrobní číslo:: IRLR7843TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	161A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	TO-252
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	4mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	140W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	34nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	2.39mm
	Délka	6.73mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 161A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení TO-252
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 140W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 2.39mm
	Délka 6.73mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 161 A, maximální ztrátový výkon 140 W - IRLR7843TRPBF

Tento tranzistor MOSFET je přizpůsoben pro vysoce výkonné aplikace v elektrotechnice a elektronice, zejména pro potřeby automobilového průmyslu a průmyslu. Jeho technologie HEXFET zajišťuje působivou účinnost a spolehlivost, takže je ideální pro vysokofrekvenční synchronní měniče a izolované měniče DC-DC. Zařízení účinně řídí rozptyl energie, čímž zvyšuje výkon elektronických systémů.

Vlastnosti a výhody

• Extrémně nízká hodnota RDS(on) optimalizuje ztráty výkonu a účinnost

• Vysoký trvalý odběrový proud podporuje intenzivní aplikace

• Navrženo pro vysoké provozní teploty, aby byl zajištěn výkon

• Bezolovnatá konstrukce splňuje ekologické standardy

• Nízký náboj hradla zlepšuje spínací chování v obvodech

Aplikace

• Používá se ve vysokofrekvenčních synchronních měničích se zpožděním

• Použití v izolovaných DC-DC měničích pro telekomunikační systémy

• Slouží pro systémy řízení napájení v automobilovém průmyslu

• Vhodné pro průmyslové napájecí zdroje vyžadující zvýšenou účinnost

• Ideální pro regulaci napájení v počítačových procesorech

Jaké jsou typické tepelné charakteristiky?

Maximální provozní teplota je +175 °C s tepelným odporem 50 °C/W od spoje k okolí, což zajišťuje efektivní výkon v tepelném prostředí.

Jak ovlivňuje nízký RDS(on) celkový návrh obvodu?

Nízká hodnota RDS(on) snižuje ztráty ve vedení, což vede ke zlepšení účinnosti při měnících se podmínkách zatížení, což je pro vysoce výkonné konstrukce zásadní.

Dokáže efektivně zpracovávat pulzní proudy?

Ano, je schopen pojmout pulzní odtokové proudy až 620 A, což zajišťuje provozní spolehlivost při dynamickém zatížení.

Jaké způsoby montáže jsou s touto součástí kompatibilní?

Jako součástka pro povrchovou montáž v balení DPAK je vhodný pro automatizované montážní procesy.

Je vhodný pro použití v automobilovém průmyslu?

Ano, díky svým specifikacím, včetně maximálního napětí na zdroji (drain-source) 30 V, se hodí do automobilových napájecích systémů.