řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 161 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-5923
- Výrobní číslo:
- IRLR7843TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
18 154,00 Kč
(bez DPH)
21 966,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 12 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 + | 9,077 Kč | 18 154,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5923
- Výrobní číslo:
- IRLR7843TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 161A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 161A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 6.22mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud 161 A, maximální ztrátový výkon 140 W - IRLR7843TRPBF
Tento tranzistor MOSFET je přizpůsoben pro vysoce výkonné aplikace v elektrotechnice a elektronice, zejména pro potřeby automobilového průmyslu a průmyslu. Jeho technologie HEXFET zajišťuje působivou účinnost a spolehlivost, takže je ideální pro vysokofrekvenční synchronní měniče a izolované měniče DC-DC. Zařízení účinně řídí rozptyl energie, čímž zvyšuje výkon elektronických systémů.
Vlastnosti a výhody
• Extrémně nízká hodnota RDS(on) optimalizuje ztráty výkonu a účinnost
• Vysoký trvalý odběrový proud podporuje intenzivní aplikace
• Navrženo pro vysoké provozní teploty, aby byl zajištěn výkon
• Bezolovnatá konstrukce splňuje ekologické standardy
• Nízký náboj hradla zlepšuje spínací chování v obvodech
Aplikace
• Používá se ve vysokofrekvenčních synchronních měničích se zpožděním
• Použití v izolovaných DC-DC měničích pro telekomunikační systémy
• Slouží pro systémy řízení napájení v automobilovém průmyslu
• Vhodné pro průmyslové napájecí zdroje vyžadující zvýšenou účinnost
• Ideální pro regulaci napájení v počítačových procesorech
Jaké jsou typické tepelné charakteristiky?
Maximální provozní teplota je +175 °C s tepelným odporem 50 °C/W od spoje k okolí, což zajišťuje efektivní výkon v tepelném prostředí.
Jak ovlivňuje nízký RDS(on) celkový návrh obvodu?
Nízká hodnota RDS(on) snižuje ztráty ve vedení, což vede ke zlepšení účinnosti při měnících se podmínkách zatížení, což je pro vysoce výkonné konstrukce zásadní.
Dokáže efektivně zpracovávat pulzní proudy?
Ano, je schopen pojmout pulzní odtokové proudy až 620 A, což zajišťuje provozní spolehlivost při dynamickém zatížení.
Jaké způsoby montáže jsou s touto součástí kompatibilní?
Jako součástka pro povrchovou montáž v balení DPAK je vhodný pro automatizované montážní procesy.
Je vhodný pro použití v automobilovém průmyslu?
Ano, díky svým specifikacím, včetně maximálního napětí na zdroji (drain-source) 30 V, se hodí do automobilových napájecích systémů.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRLR7843TRPBF N-kanálový 161 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 45 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 28 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 160 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 25 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení