řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 23 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, výrobce končí s její výrobou.
Skladové číslo RS:
218-3127
Výrobní číslo:
IRLR2703TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

23A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

TO-252

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

65mΩ

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

162nC

Maximální ztrátový výkon Pd

341W

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Šířka

5.31mm

Výška

20.7mm

Délka

15.87mm

Automobilový standard

Ne

Infineon HEXFET série N-kanálový výkonový MOSFET. Využívá techniky zpracování Advanced k dosažení co nejnižšího odporu na křemíkové ploše. Tento MOSFET je určen pro povrchovou montáž pomocí pájecích, infračervených nebo vlnových technik.

Obzvláště nízký zapínací odpor

Rychlé spínání

Plně Avalanche hodnoceno

Bezolovnatá

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.