řada: HEXFET MOSFET IRLR2703TRPBF Typ N-kanálový 23 A 30 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3128
- Výrobní číslo:
- IRLR2703TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
323,325 Kč
(bez DPH)
391,225 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 12,933 Kč | 323,33 Kč |
| 125 - 225 | 12,281 Kč | 307,03 Kč |
| 250 - 600 | 11,777 Kč | 294,43 Kč |
| 625 - 1225 | 11,253 Kč | 281,33 Kč |
| 1250 + | 10,483 Kč | 262,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3128
- Výrobní číslo:
- IRLR2703TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 23A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 341W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 20.7mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 23A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 341W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 20.7mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon HEXFET série N-kanálový výkonový MOSFET. Využívá techniky zpracování Advanced k dosažení co nejnižšího odporu na křemíkové ploše. Tento MOSFET je určen pro povrchovou montáž pomocí pájecích, infračervených nebo vlnových technik.
Obzvláště nízký zapínací odpor
Rychlé spínání
Plně Avalanche hodnoceno
Bezolovnatá
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 23 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 93 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 27 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 62 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový