řada: HEXFET MOSFET IRLR8726TRPBF Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-9465
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-554
- Výrobní číslo:
- IRLR8726TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
92,87 Kč
(bez DPH)
112,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 280 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,287 Kč | 92,87 Kč |
| 100 - 240 | 8,793 Kč | 87,93 Kč |
| 250 - 490 | 7,879 Kč | 78,79 Kč |
| 500 - 990 | 6,867 Kč | 68,67 Kč |
| 1000 + | 4,594 Kč | 45,94 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9465
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-554
- Výrobní číslo:
- IRLR8726TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 86A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 86A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRLR je 30V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D Pak.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Logická úroveň je optimalizována pro napětí pohonu hradla 5 V
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR3709ZTRPBF Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda IRFR3709ZTRLPBF Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 86 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 120 A 40 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252