řada: CoolMOS CE MOSFET IPS60R3K4CEAKMA1 Typ N-kanálový 2.6 A 600 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2577
- Výrobní číslo:
- IPS60R3K4CEAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
322,90 Kč
(bez DPH)
390,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 850 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 6,458 Kč | 322,90 Kč |
| 100 - 200 | 4,843 Kč | 242,15 Kč |
| 250 - 450 | 4,52 Kč | 226,00 Kč |
| 500 - 1200 | 4,197 Kč | 209,85 Kč |
| 1250 + | 3,875 Kč | 193,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2577
- Výrobní číslo:
- IPS60R3K4CEAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-251 | |
| Řada | CoolMOS CE | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 2.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 9.82mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-251 | ||
Řada CoolMOS CE | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 2.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 9.82mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ CE je vhodný pro náročné a měkké spínací aplikace a jako moderní superjunction poskytuje nízké ztráty vedení a spínání, čímž zvyšuje efektivitu a nakonec snižuje spotřebu energie. 600V, 650V a 700V CoolMOS™ CE kombinují optimální R DS (ON) a balení, které nabízí vhodné v nabíječkách s nízkou spotřebou pro mobilní telefony a tablety.
Úzké okraje mezi typickou a maximální R DS (ON)
Snížená energie uložená ve výstupní kapacitance (E OSS)
Dobrá odolnost diody karosérie a snížené zatížení při zpětné regeneraci (Q rr)
Optimalizovaná integrovaná R g.
Související odkazy
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 2.6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 8.7 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPS60R800CEAKMA1 Typ N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPS65R1K0CEAKMA2 Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení