řada: CoolMOS CE MOSFET IPS65R1K0CEAKMA2 Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
214-9105
Výrobní číslo:
IPS65R1K0CEAKMA2
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

7.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-251

Řada

CoolMOS CE

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

37W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

15.3nC

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.73mm

Normy/schválení

No

Výška

6.22mm

Šířka

2.4 mm

Automobilový standard

Ne

Infineon CoolMOS je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. CoolMOS CE je cenově optimalizovaná platforma, která umožňuje zaměřit se na aplikace citlivé na náklady na trhu se spotřebitelem a osvětlením, a to při splnění nejvyšších standardů účinnosti. Nová řada poskytuje všechny výhody rychlého přepínání Super junction MOSFET, aniž by obětoval snadné použití a nabízí nejlepší poměr nákladů a výkonu dostupný na trhu.

Snadné použití/jízda

Velmi vysoká odolnost při komutaci

Vhodné pro standardní aplikace

Související odkazy