řada: CoolMOS CE MOSFET IPD65R1K0CEAUMA1 Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-9045
- Výrobní číslo:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
409,10 Kč
(bez DPH)
495,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 16,364 Kč | 409,10 Kč |
| 125 - 225 | 15,561 Kč | 389,03 Kč |
| 250 - 600 | 15,205 Kč | 380,13 Kč |
| 625 - 1225 | 14,217 Kč | 355,43 Kč |
| 1250 + | 13,239 Kč | 330,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-9045
- Výrobní číslo:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | CoolMOS CE | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Šířka | 6.22 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada CoolMOS CE | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Šířka 6.22 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. CoolMOS CE je cenově optimalizovaná platforma, která umožňuje zaměřit se na aplikace citlivé na náklady na trhu se spotřebitelem a osvětlením, a to při splnění nejvyšších standardů účinnosti. Nová řada poskytuje všechny výhody rychlého přepínání Super junction MOSFET, aniž by obětoval snadné použití a nabízí nejlepší poměr nákladů a výkonu dostupný na trhu.
Snadné použití/jízda
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Vhodné pro standardní aplikace
Související odkazy
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPS65R1K0CEAKMA2 Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 6.8 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPD60R1K0CEAUMA1 Typ N-kanálový 6.8 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 12 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 9 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPD60R280CFD7ATMA1 Typ N-kanálový 9 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení