řada: CoolMOS CE MOSFET IPS60R800CEAKMA1 Typ N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-9103
- Výrobní číslo:
- IPS60R800CEAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
360,125 Kč
(bez DPH)
435,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 225 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 14,405 Kč | 360,13 Kč |
| 125 - 225 | 11,224 Kč | 280,60 Kč |
| 250 - 600 | 10,512 Kč | 262,80 Kč |
| 625 - 1225 | 9,791 Kč | 244,78 Kč |
| 1250 + | 9,07 Kč | 226,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-9103
- Výrobní číslo:
- IPS60R800CEAKMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-251 | |
| Řada | CoolMOS CE | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 800mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 74W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 6.22mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-251 | ||
Řada CoolMOS CE | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 800mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 74W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 6.22mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. CoolMOS CE je cenově optimalizovaná platforma, která umožňuje zaměřit se na aplikace citlivé na náklady na trhu se spotřebitelem a osvětlením, a to při splnění nejvyšších standardů účinnosti. Nová řada poskytuje všechny výhody rychlého přepínání Super junction MOSFET, aniž by obětoval snadné použití a nabízí nejlepší poměr nákladů a výkonu dostupný na trhu.
Snadné použití/jízda
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Vhodné pro standardní aplikace
Související odkazy
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 2.6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 8.7 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPS60R3K4CEAKMA1 Typ N-kanálový 2.6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPS65R1K0CEAKMA2 Typ N-kanálový 7.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení