řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon, TO-251, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 tuba po 75 kusech)*

688,425 Kč

(bez DPH)

833,025 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za tubu*
75 +9,179 Kč688,43 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
222-4708
Výrobní číslo:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4A

Maximální napětí na zdroji Vds

700V

Typ balení

TO-251

Řada

CoolMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

1.4mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.7nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

22.7W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

16 V

Přímé napětí Vf

0.9V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

6.1mm

Šířka

2.38 mm

Délka

6.6mm

Automobilový standard

Ne

Infineon design Cool MOS™ je revoluční technologie pro vysokonapěťové tranzistory MOSFET, navržené podle principu superjunkce (SJ) a průkopníkem společnosti Infineon Technologies. Nejnovější Cool MOS™ P7 je optimalizovaná platforma přizpůsobená pro aplikace citlivé na cílové náklady na spotřebitelském trhu, jako je nabíječka, adaptér, osvětlení, TV atd.

Ověření produktu podle Norma JEDEC

Nízké ztráty spínání (Eoss)

Integrovaná ESD ochranná dioda

Vynikající tepelné chování

Související odkazy