řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 35 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

34 780,00 Kč

(bez DPH)

42 080,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za cívku*
2000 - 200017,39 Kč34 780,00 Kč
4000 +16,52 Kč33 040,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
215-2598
Výrobní číslo:
IRFR540ZTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

35A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-252

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

28.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

91W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

59nC

Přímé napětí Vf

1.3V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Tento výkonový MOSFET Infineon HEXFET® využívá nejnovější techniky zpracování 35A ID pro dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku v každé oblasti. Mezi další vlastnosti tohoto provedení patří pracovní teplota přechodu 175 °C, vysoká rychlost spínání a lepší odolnost vůči opakovaným průrazům. Tyto funkce se kombinují, aby byl tento design mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v široké škále aplikací.

Špičková technologie zpracování

Obzvláště nízký zapínací odpor

Bez obsahu olova a halogenů

Související odkazy