AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET AUIRFR540Z Typ N-kanálový 35 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-8953
- Výrobní číslo:
- AUIRFR540Z
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
453,25 Kč
(bez DPH)
548,43 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 670 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 45,325 Kč | 453,25 Kč |
| 50 - 90 | 43,077 Kč | 430,77 Kč |
| 100 - 240 | 38,73 Kč | 387,30 Kč |
| 250 + | 38,557 Kč | 385,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-8953
- Výrobní číslo:
- AUIRFR540Z
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 35A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 28.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 91W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.22mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 35A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 28.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 91W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.22mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon HEXFET využívají nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Dalšími vlastnostmi tohoto designu jsou provozní teplota 175°C, rychlá spínací rychlost a zlepšená opakovaná lavinová zatížitelnost. Tyto funkce se kombinují, aby se tento design učinil mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v automobilovém průmyslu a pro širokou škálu dalších aplikací.
Špičková technologie zpracování
Obzvláště nízký zapínací odpor
Splňuje požadavky pro automobilový průmysl
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 35 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR540ZTRPBF Typ N-kanálový 35 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení