řada: NVB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
202-5730
Výrobní číslo:
NVBG040N120SC1
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

NVB

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

56mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

106nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

178W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

AEC-Q101

Výška

15.7mm

Délka

10.2mm

Šířka

4.7mm

Automobilový standard

Ne

Karbid křemíku (SiC) MOSFET, N-kanál – EliteSiC, 40 mΩ, 1200 V, M1, karbid křemíku D2PAK−7L MOSFET, N-kanál, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L


Výkonové tranzistory MOSFET ON SEMICONDUCTOR ze silikonového karbidu mají 60 a a 1200 V. Lze jej použít v automobilové palubní nabíječce, v aplikacích převodníku DC nebo DC.

Certifikace AEC Q101

Možnost procesu schvalování výrobních dílů

100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti

Nízká účinná výstupní kapacita

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.