MOSFET NVBG020N120SC1 N-kanálový 98 A 1200 V, TO-263 onsemi, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
195-8970
Výrobní číslo:
NVBG020N120SC1
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

98A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

0.028Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Karbid křemíku (SiC) MOSFET, N-kanál – EliteSiC, 20 mΩ, 1200 V, M1, D2PAK−7L


Jednoduchý N-kanálový karbid křemíku (SiC) MOSFET společnosti On Semiconductor využívá zcela novou technologii, která zajišťuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání se křemíkem. Kromě toho nízký odpor při zapnutí a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a nabití hradla. Patří mezi ně nejvyšší účinnost, rychlejší provozní frekvence, vyšší hustota výkonu, nižší EMI a menší velikost systému.

Mimořádně nízké nabíjení hradla (typ. QG(tot) = 220 nC)

Nízká efektivní výstupní kapacita

100% lavinový test

Kvalifikace podle AEC-Q101

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.