MOSFET NVBG020N120SC1 N-kanálový 98 A 1200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 SiC

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
195-8970
Výrobní číslo:
NVBG020N120SC1
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

98 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

1200 V

Typ balení

D2PAK (TO-263)

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

7

Maximální odpor kolektor/zdroj

0,028 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.3V

Materiál tranzistoru

SiC

Počet prvků na čip

1

Karbid křemíku (SiC) MOSFET, N-kanál – EliteSiC, 20 mΩ, 1200 V, M1, D2PAK−7L


On Semiconductor MOSFET s jedním N-kanálovým karbidem křemíku (SIC) využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání s křemíkem. Nízký odpor A kompaktní velikost čipu navíc zajišťují nízkou kapacitu a nabíjení hradla. Systém těží z vysoké účinnosti, rychlejší provozní frekvence, vyšší hustoty výkonu, nižšího EMI, menší velikosti systému a nižších nákladů.

Mimořádně nízké nabití hradla (typ. QG(tot) = 220 nC)
Nízká účinná výstupní kapacita
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Splňuje požadavky AEC–Q101

Související odkazy