AEC-Q101, řada: NTB MOSFET N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 254-7660
- Výrobní číslo:
- NTBG022N120M3S
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (800 jednotky/-ek, v kotouči po 800 ks)*
235 671,20 Kč
(bez DPH)
285 162,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 294,589 Kč | 235 671,20 Kč |
| 1600 - 1600 | 288,697 Kč | 230 957,60 Kč |
| 2400 + | 282,806 Kč | 226 244,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 254-7660
- Výrobní číslo:
- NTBG022N120M3S
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | NTB | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 148nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 4.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada NTB | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 148nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 4.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mΩ, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Řada planárních MOSFETů ON Semiconductor NTB je optimalizována pro rychlé spínání pomocí planární technologie, která spolehlivě pracuje s pohonem záporného napětí hradla a vypíná špičky na hradle. Tato řada nabízí optimální výkon při ovládání s pohonem hradla 18 V, ale také dobře funguje s pohonem hradla 15 V.
100% testovaný proti lavině, vylepšená hustota výkonu, napětí hradla 15 V až 18 V
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG040N120SC1 N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG080N120SC1 N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET Typ N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení