AEC-Q101, řada: NTB MOSFET NTBG060N065SC1 N-kanálový 58 A 1200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 254-7665
- Výrobní číslo:
- NTBG060N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
259,10 Kč
(bez DPH)
313,51 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 657 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 259,10 Kč |
| 10 - 99 | 223,29 Kč |
| 100 - 499 | 193,90 Kč |
| 500 + | 170,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 254-7665
- Výrobní číslo:
- NTBG060N065SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 58A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | NTB | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 117W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 4.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 58A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada NTB | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 117W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 4.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET – EliteSiC, 44 mΩ, 650 V, M2, D2PAK-7L
MOSFET z karbidu křemíku řady NTB společnosti ON Semiconductor využívá zcela novou technologii, která zajišťuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání s křemíkem. Kromě toho s nízkým odporem při zapnutí a kompaktní velikostí čipu. Zajišťuje nízkou kapacitu a náboj hradla. Výhody systému tedy zahrnují nejvyšší účinnost, rychlejší provozní frekvenci, zvýšenou hustotu výkonu, snížení EMI a sníženou velikost systému.
Vyšší spolehlivost systému, mimořádně nízký náboj hradla, vysoká rychlost spínání a nízká kapacita
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG040N120SC1 N-kanálový 60 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET NTBG080N120SC1 N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: NTB MOSFET Typ N-kanálový 30 A 1200 V onsemi počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 HPSOF-8L, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení